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Vishay Intertechnology निकटता सेंसर और विद्युत MOSFET के लिए एन प्रतिभाशाली पुरस्कार प्राप्त

Published on April 11, 2011 at 1:24 AM

एंडी चोई

निकटता और परिवेश प्रकाश ऑप्टिकल (VCNL4000) संवेदक और शक्ति MOSFET (SiR88DP ThunderFET वी 80) लाइट सेंसिंग में सर्वश्रेष्ठ विकास किया गया है और एन प्रतिभाशाली के लिए 'सर्वश्रेष्ठ उच्च वोल्ट पावर MOSFET' चुना क्रमशः पुरस्कार.

पुरस्कार उत्पादों जीतने के चयन के लिए जूरी पॉल McGoldrick, एन प्रतिभाशाली और उनके सहयोगियों ने ली गोल्डवर्ग और एलेक्स मेंदेल्सोहं के लिए मुख्य में संपादक के शामिल हैं.

VCNL4000 एक पूरी तरह से एकीकृत निकटता और परिवेश ऑप्टिकल सेंसर, जो एक छोटे से सतह माउंट पहली बार के लिए leadless पैकेज पर घटकों के एक नंबर fabricating की एक ख़ास विशेषता है है. संवेदक पर विभिन्न घटकों IR emitter, फोटो पिन डायोड, परिवेश प्रकाश डिटेक्तार, सिग्नल प्रोसेसिंग आईसी और एक 16 बिट एडीसी हैं. I2C बस संचार अंतरापृष्ठ VCNL4000 के साथ संगत है. इस सेंसर की कॉम्पैक्ट आकार (3.95 मिमी x 3.95 मिमी x 0.75 मिमी) महान लाभ की है के रूप में यह उपभोक्ता और औद्योगिक अनुप्रयोगों के डिजाइन सरल बनाने में एक लंबा रास्ता जाता है. एन प्रतिभाशाली VCNL4000 की कॉम्पैक्ट डिजाइन की सराहना की और विश्वास है कि सेंसर प्रदर्शन और मूल्य के मामले में अपने सभी अनुप्रयोगों के सूट करेगा.

Vishay से एक अन्य उत्पाद के लिए एक पुरस्कार जीतने ThunderFET SiR880DP था. MOSFET एक नई तकनीक प्रतिरोध कम पर कहा जाता है, जो उच्च वोल्टेज MOSFETs के लिए अनुकूलित है का उपयोग करने के लिए बनाया गया है. शक्ति MOSFETs के क्षेत्र में, ThunderFET पहली 80V 4.5 वी फाटक ड्राइव पर एक पर प्रतिरोध दर्ज़ा होने MOSFET है. डिवाइस एक thermally बढ़ाया PowerPAK अतः-8 बुलाया पैकेज है, जो 8.5 milliohms के क्रम में 4.5 पर बहुत कम प्रतिरोध प्रदान करता है में आता है, V 7.5 वी में 6.7 milliohms, और 5.9 10 में वी. resistances पर इस तरह के कम milliohms MOSFET के डीसी / डीसी कनवर्टर अनुप्रयोगों में उपयोगी साबित हो. एन प्रतिभाशाली उच्च वोल्टेज दर्ज़ा और ThunderFET के प्रतिरोध पर अल्ट्रा कम की सराहना था. ThunderFET के मूल्य निर्धारण भी एन प्रतिभाशाली प्रति के रूप में एक आकर्षण था.

स्रोत: http://www.vishay.com/

Last Update: 4. October 2011 04:43

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